半导体制造技术
本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了各种新技术资料，学术界和工业界对本书的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
目 录
第1章半导体产业介绍
目标
1.1引言
1.2产业的发展
1.3电路集成
1.4集成电路制造
1.5半导体趋势
1.6电子时代
1.7在半导体制造业中的职业
1.8小结
第2章半导体材料特性
目标
2.1引言
2.2原子结构
2.3周期表
2.4材料分类
2.5硅
2.6可选择的半导体材料
2.7小结
第3章器件技术 目标
3.1引言
3.2电路类型
3.3无源元件结构
3.4有源元件结构
3.5CMOS器件的闩锁效应
3.6集成电路产品
3.7小结
第4章硅和硅片制备
目标
4.1引言
4.2半导体级硅
4.3晶体结构
4.4晶向
4.5单晶硅生长
4.6硅中的晶体缺陷
4.7硅片制备
4.8质量测量
4.9外延层
4.10小结
第5章半导体制造中的化学品
目标
5.1引言
5.2物质形态
5.3材料的属性
5.4工艺用化学品
5.5小结
第6章硅片制造中的沾污控制
目标
6.1引言
6.2沾污的类型
6.3沾污的源与控制
6.4硅片湿法清洗
6.5小结
第7章测量学和缺陷检查
目标
7.1引言
7.2集成电路测量学
7.3质量测量
7.4分析设备
7.5小结
第8章工艺腔内的气体控制
目标
8.1引言
8.2真空
8.3真空泵
8.4工艺腔内的气流
8.5残气分析器
8.6等离子体
8.7工艺腔的沾污
8.8小结
第9章集成电路制造工艺概况
目标
9.1引言
9.2CMOS工艺流程
9.3CMOS制作步骤
9.4小结
第10章氧化
目标
10.1引言
10.2氧化膜
10.3热氧化生长
10.4高温炉设备
10.5卧式与立式炉
10.6氧化工艺
10.7质量测量
10.8氧化检查及故障排除
10.9小结
第11章淀积
目标
11.1引言
11.2膜淀积
11.3化学气相淀积
11.4CVD淀积系统
11.5介质及其性能
11.6旋涂绝缘介质
11.7外延
11.8CVD质量测量
11.9CVD检查及故障排除
11.10小结
第12章金属化
目标
12.1引言
12.2金属类型
12.3金属淀积系统
12.4金属化方案
12.5金属化质量测量
12.6金属化检查及故障排除
12.7小结
第13章光刻：气相成底膜到软烘
目标
13.1引言
13.2光刻工艺
13.3光刻工艺的8个基本步骤
13.4气相成底膜处理
13.5旋转涂胶
13.6软烘
13.7光刻胶质量测量
13.8光刻胶检查及故障排除
13.9小结
第14章光刻：对准和曝光
目标
14.1引言
14.2光学光刻
14.3光刻设备
14.4混合和匹配
14.5对准和曝光质量测量
14.6对准和曝光检查及故障排除
14.7小结
第15章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 目标
15.1引言
15.2曝光后烘焙
15.3显影
15.4坚膜
15.5显影检查
15.6先进的光刻技术 15.7显影质量测量
15.8显影检查及故障排除
15.9小结
第16章刻蚀
目标
16.1引言
16.2刻蚀参数
16.3干法刻蚀
16.4等离子体刻蚀反应器
16.5干法刻蚀的应用
16.6湿法腐蚀
16.7刻蚀技术的发展历程
16.8去除光刻胶
16.9刻蚀检查
16.10刻蚀质量测量
16.11干法刻蚀检查及故障排除
16.12小结
第17章离子注入
目标
17.1引言
17.2扩散
17.3离子注入
17.4离子注入机
17.5离子注入在工艺集成中的发展趋势
17.6离子注入质量测量
17.7离子注入检查及故障排除
17.8小结
第18章化学机械平坦化
目标
18.1引言
18.2传统的平坦化技术 18.3化学机械平坦化
18.4CMP应用
18.5CMP质量测量
18.6CMP检查及故障排除
18.7小结
第19章硅片测试
目标
19.1引言
19.2硅片测试
19.3测试质量测量
19.4测试检查及故障排除
19.5小结
第20章装配与封装
目标
20.1引言
20.2传统装配
20.3传统封装
20.4先进的装配与封装
20.5封装与装配质量测量
20.6集成电路封装检查及故障排除
20.7小结
附录A化学品及安全性
附录B净化间的沾污控制
附录C单位
附录D作为氧化层厚度函数的颜色
附录E光刻胶化学的概要
附录F刻蚀化学
目 录
第1章半导体产业介绍
目标
1.1引言
1.2产业的发展
1.3电路集成
1.4集成电路制造
1.5半导体趋势
1.6电子时代
1.7在半导体制造业中的职业
1.8小结
第2章半导体材料特性
目标
2.1引言
2.2原子结构
2.3周期表
2.4材料分类
2.5硅
2.6可选择的半导体材料
2.7小结
第3章器件技术 目标
3.1引言
3.2电路类型
3.3无源元件结构
3.4有源元件结构
3.5CMOS器件的闩锁效应
3.6集成电路产品
3.7小结
第4章硅和硅片制备
目标
4.1引言
4.2半导体级硅
4.3晶体结构
4.4晶向
4.5单晶硅生长
4.6硅中的晶体缺陷
4.7硅片制备
4.8质量测量
4.9外延层
4.10小结
第5章半导体制造中的化学品
目标
5.1引言
5.2物质形态
5.3材料的属性
5.4工艺用化学品
5.5小结
第6章硅片制造中的沾污控制
目标
6.1引言
6.2沾污的类型
6.3沾污的源与控制
6.4硅片湿法清洗
6.5小结
第7章测量学和缺陷检查
目标
7.1引言
7.2集成电路测量学
7.3质量测量
7.4分析设备
7.5小结
第8章工艺腔内的气体控制
目标
8.1引言
8.2真空
8.3真空泵
8.4工艺腔内的气流
8.5残气分析器
8.6等离子体
8.7工艺腔的沾污
8.8小结
第9章集成电路制造工艺概况
目标
9.1引言
9.2CMOS工艺流程
9.3CMOS制作步骤
9.4小结
第10章氧化
目标
10.1引言
10.2氧化膜
10.3热氧化生长
10.4高温炉设备
10.5卧式与立式炉
10.6氧化工艺
10.7质量测量
10.8氧化检查及故障排除
10.9小结
第11章淀积
目标
11.1引言
11.2膜淀积
11.3化学气相淀积
11.4CVD淀积系统
11.5介质及其性能
11.6旋涂绝缘介质
11.7外延
11.8CVD质量测量
11.9CVD检查及故障排除
11.10小结
第12章金属化
目标
12.1引言
12.2金属类型
12.3金属淀积系统
12.4金属化方案
12.5金属化质量测量
12.6金属化检查及故障排除
12.7小结
第13章光刻：气相成底膜到软烘
目标
13.1引言
13.2光刻工艺
13.3光刻工艺的8个基本步骤
13.4气相成底膜处理
13.5旋转涂胶
13.6软烘
13.7光刻胶质量测量
13.8光刻胶检查及故障排除
13.9小结
第14章光刻：对准和曝光
目标
14.1引言
14.2光学光刻
14.3光刻设备
14.4混合和匹配
14.5对准和曝光质量测量
14.6对准和曝光检查及故障排除
14.7小结
第15章光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 目标
15.1引言
15.2曝光后烘焙
15.3显影
15.4坚膜
15.5显影检查
15.6先进的光刻技术 15.7显影质量测量
15.8显影检查及故障排除
15.9小结
第16章刻蚀
目标
16.1引言
16.2刻蚀参数
16.3干法刻蚀
16.4等离子体刻蚀反应器
16.5干法刻蚀的应用
16.6湿法腐蚀
16.7刻蚀技术的发展历程
16.8去除光刻胶
16.9刻蚀检查
16.10刻蚀质量测量
16.11干法刻蚀检查及故障排除
16.12小结
第17章离子注入
目标
17.1引言
17.2扩散
17.3离子注入
17.4离子注入机
17.5离子注入在工艺集成中的发展趋势
17.6离子注入质量测量
17.7离子注入检查及故障排除
17.8小结
第18章化学机械平坦化
目标
18.1引言
18.2传统的平坦化技术 18.3化学机械平坦化
18.4CMP应用
18.5CMP质量测量
18.6CMP检查及故障排除
18.7小结
第19章硅片测试
目标
19.1引言
19.2硅片测试
19.3测试质量测量
19.4测试检查及故障排除
19.5小结
第20章装配与封装
目标
20.1引言
20.2传统装配
20.3传统封装
20.4先进的装配与封装
20.5封装与装配质量测量
20.6集成电路封装检查及故障排除
20.7小结
附录A化学品及安全性
附录B净化间的沾污控制
附录C单位
附录D作为氧化层厚度函数的颜色
附录E光刻胶化学的概要
附录F刻蚀化学
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